4N60 TO251-VB
IC
TO-251
可供量大可议
4N60 TO251-VB
TO251； N—Channel沟道, 650V； 4A； RDS(ON)=2200mΩ@VGS=10V, VGS=±30V； Vth=3.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-251
库存
10
货期
现货
4N60 TO251-VB参数
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
4N60 TO251-VB概述
TO251； N—Channel沟道, 650V； 4A； RDS(ON)=2200mΩ@VGS=10V, VGS=±30V； Vth=3.5V
4N60 TO251-VB特性
暂无产品特性。
4N60 TO251-VB应用领域
暂无应用领域。