4N46-300E

4N45/46光耦合器包含一个GaAsP发光二极管， 该二极管与一个高增益光电探测器IC进行光耦合。 由于集成了发射极 - 基极旁路电阻， 该电阻可分流光电二极管和第一级的泄漏电流， 并将多余的基极驱动电流泄放到地， 因此在不同温度下都能实现出色的性能。 与传统的光电达林顿探测器相比， 第二级基极可外接， 从而具备更好的抗噪能力。 可以在基极添加外部电阻或电容， 以进行增益带宽或输入电流阈值调整。 基极引脚也可用于反馈。