4N35M
自营可供
IC
DIP-6
4N35M
晶体管输出光耦 DC 光电三极管 4.17kV 1.18V
品牌
ON
封装
DIP-6
交期
现货
批次
26+
4N35M参数
| 封装 | DIP-6 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 26+ |
| 输入类型 | DC |
| 正向压降(Vf) | 1.18V |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V |
| 输出通道数 | 1 |
| 工作温度 | -40℃~+100℃ |
| 总功耗(Pd) | 270mW |
| 输入类型 | 直流（DC）， 便于与各种直流电路兼容。 |
| 正向电压 (Vf) | 在典型情况下为 1.18V， 保证了高效的电流传输效率。 |
| Vce 饱和压降 | 最大值为 300mV， 显示出低功耗特性， 有助于实现高效的电路设计。 |
| 分类 | 晶体管输出光耦 |
|---|---|
| 库存 | 19,422 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输出类型 | 光电三极管 |
| 隔离电压(Vrms) | 4.17kV |
| 负载电压 | 30V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@0.5mA, 10mA |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 100% |
| 正向电流(If) | 60mA |
| 最大输出电压 | 30V， 适用于多种电气隔离级别的要求。 |
| 最大正向电流 (If) | 可承受高达 60mA 的直流输入， 提供更大的驱动能力。 |
4N35M概述
晶体管输出光耦 DC 光电三极管 4.17kV 1.18V
4N35M特性
- 隔离电压高达 4170Vrms：4N35M 具备优秀的电气隔离性能， 有效防止高电压对低电压电路的影响， 提升了设备的安全性和可靠性。
- 通道数和输出类型：该器件为单通道输出， 采用一个基极的晶体管作为输出形式， 其设计使得在大多数应用中， 可以实现简单而有效的接口。
- 电流传输比高达 100%：4N35M 在输入电流为 10mA 的情况下， 具备一个优秀的电流传输比， 确保了输入信号的可靠性与一致性， 实现信号的准确传递。
- 快速开关特性：其接通时间和关断时间的典型值均为 2µs， 这使得 4N35M 非常适合高速信号传输要求的应用， 能够满足现代电子设备对瞬态响应速度的需求。
- 宽工作温度范围：该光耦的工作温度范围在 -40°C 至 100°C， 适应多种工作环境， 增强了产品的应用灵活性和稳定性， 确保其能够在严酷条件下正常运行。
- 老化耐久性：使用的材料和生产工艺使得该组件具有良好的耐老化性能， 能够长时间保持稳定的电气特性。
4N35M应用领域
- 4N35M 的设计使其在多个领域内都得以广泛应用， 包括
- 工业控制：电机控制、传感器接口等。
- 电源管理：电源转换器、继电器驱动等模块。
- 通信设备：信号隔离、数据传输和接口适配。
- 家用电器：防误操作、信号转换等。