4N10L
IC
SOT-23-3L
可供量大可议
4N10L
MOSFET类型:N， 漏源电压(Vdss) (V):100， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):1～2.5， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):120/156， 连续漏极电流ID(A):4A
品牌
HL
封装
SOT-23-3L
库存
1,480
货期
现货
4N10L参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1480 |
4N10L概述
MOSFET类型:N， 漏源电压(Vdss) (V):100， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):1～2.5， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):120/156， 连续漏极电流ID(A):4A
4N10L特性
暂无产品特性。
4N10L应用领域
暂无应用领域。