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3DD13003
IC

TO-252-2

可供量大可议

3DD13003

三极管(晶体管) 3DD13003 TO-126

品牌

CJ

封装

TO-252-2

库存

10,653

货期

现货

3DD13003参数

封装TO-252-2
品牌CJ(江苏长电/长晶)
批次两年内
晶体管类型NPN
集射极击穿电压(Vceo)400V
直流电流增益(hFE)40
集电极截止电流(Icbo)1mA
工作温度-55℃~+150℃
数量1个NPN
分类三极管(BJT)
库存10,653
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)1.5A
耗散功率(Pd)2W
特征频率(fT)5MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))600mV
射基极击穿电压(Vebo)9V

3DD13003概述

三极管(晶体管) 3DD13003 TO-126

3DD13003特性

暂无产品特性。

3DD13003应用领域

暂无应用领域。

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