35N10
IC
TO-252
可供量大可议
35N10
工艺:沟槽， 类型:N， 漏源电压(Vdss) (V):100， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):0.8～1.6， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):25/26， 连续漏极电流ID(A):35A
品牌
HL
封装
TO-252
库存
2,260
货期
现货
35N10参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2260 |
35N10概述
工艺:沟槽， 类型:N， 漏源电压(Vdss) (V):100， 阈值电压VGS:±20， Vth(V):0.8～1.6， 导通电阻RDS(ON) (mΩ):25/26， 连续漏极电流ID(A):35A
35N10特性
暂无产品特性。
35N10应用领域
暂无应用领域。