3415E
IC
SOT-23
可供量大可议
3415E
MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V):-20 阈值电压VGS:±10 Vth(V):-0.4～-1导通电阻RDS(ON) (mΩ):29/40 连续漏极电流ID(A):-5A ESDRating:2500V HBM
品牌
HL
封装
SOT-23
库存
2,400
货期
现货
3415E参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HL(富海微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2400 |
3415E概述
MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V):-20 阈值电压VGS:±10 Vth(V):-0.4～-1导通电阻RDS(ON) (mΩ):29/40 连续漏极电流ID(A):-5A ESDRating:2500V HBM
3415E特性
暂无产品特性。
3415E应用领域
暂无应用领域。