30H10K
IC
TO-252
可供量大可议
30H10K
30H10K采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷， 并能在低至5V的栅极电压下工作。 该器件适用于多种应用场景。
品牌
FM
封装
TO-252
库存
1,560
货期
现货
30H10K参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | FM(富满) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1560 |
30H10K概述
30H10K采用先进的沟槽技术， 可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷， 并能在低至5V的栅极电压下工作。 该器件适用于多种应用场景。
30H10K特性
暂无产品特性。
30H10K应用领域
暂无应用领域。