2SK3878(STA1, E, S)
IC
SC-65
可供量大可议
2SK3878(STA1, E, S)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 Ω（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 7.0 S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 100 μA（最大值）(VDS = 720 V)。 增强型模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
品牌
TOSHIBA
封装
SC-65
库存
3,384
货期
现货
2SK3878(STA1, E, S)参数
| 封装 | SC-65 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3384 |
2SK3878(STA1, E, S)概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.0 Ω（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 7.0 S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 100 μA（最大值）(VDS = 720 V)。 增强型模式：Vth = 2.0 至 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
2SK3878(STA1, E, S)特性
暂无产品特性。
2SK3878(STA1, E, S)应用领域
暂无应用领域。