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2SK3816-DL-E-HXY
IC

TO-252-2L

可供量大可议

2SK3816-DL-E-HXY

该N沟道场效应管额定漏极电流为30A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻为22毫欧。 器件适用于中等功率开关应用, 如直流电源转换、电动工具控制及消费类电子负载管理。 其参数配置平衡了导通损耗与电压耐受能力, 适合在需要稳定电流切换的电路中使用, 能够支持高频操作并维持良好的热性能, 满足各类通用电子设备对功率器件的基础需求。

Brand

HXY MOSFET

Package

TO-252-2L

Stock

40

货期

现货

2SK3816-DL-E-HXYParameters

封装TO-252-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存40

2SK3816-DL-E-HXY概述

该N沟道场效应管额定漏极电流为30A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻为22毫欧。 器件适用于中等功率开关应用, 如直流电源转换、电动工具控制及消费类电子负载管理。 其参数配置平衡了导通损耗与电压耐受能力, 适合在需要稳定电流切换的电路中使用, 能够支持高频操作并维持良好的热性能, 满足各类通用电子设备对功率器件的基础需求。

2SK3816-DL-E-HXY特性

暂无产品特性。

2SK3816-DL-E-HXY应用领域

暂无应用领域。

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