2SK3816-DL-E-HXY
IC
TO-252-2L
可供量大可议
2SK3816-DL-E-HXY
该N沟道场效应管额定漏极电流为30A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻为22毫欧。 器件适用于中等功率开关应用, 如直流电源转换、电动工具控制及消费类电子负载管理。 其参数配置平衡了导通损耗与电压耐受能力, 适合在需要稳定电流切换的电路中使用, 能够支持高频操作并维持良好的热性能, 满足各类通用电子设备对功率器件的基础需求。
Brand
HXY MOSFET
Package
TO-252-2L
Stock
40
货期
现货
2SK3816-DL-E-HXYParameters
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 40 |
2SK3816-DL-E-HXY概述
该N沟道场效应管额定漏极电流为30A, 漏源击穿电压60V, 导通电阻为22毫欧。 器件适用于中等功率开关应用, 如直流电源转换、电动工具控制及消费类电子负载管理。 其参数配置平衡了导通损耗与电压耐受能力, 适合在需要稳定电流切换的电路中使用, 能够支持高频操作并维持良好的热性能, 满足各类通用电子设备对功率器件的基础需求。
2SK3816-DL-E-HXY特性
暂无产品特性。
2SK3816-DL-E-HXY应用领域
暂无应用领域。
