2SK3748-HXY

本产品为N沟道增强型功率场效应管（MOSFET）， 具有较高的电压耐受能力和稳定的开关性能。 主要参数包括：最大漏极电流ID为3.7A， 漏源击穿电压VDSS达1500V， 导通电阻RDON为1000mΩ， 栅源电压范围为±20V。 适用于电源适配器、开关电源、LED驱动模块及各类中高电压电子设备中的高频开关应用， 能够满足对效率与稳定性有较高要求的电路设计需求。