2SK3747-1E-HXY

本款N沟道场效应管（MOSFET）具备1500V的漏源耐压（VDSS）和3.7A的连续漏极电流（ID）， 适合对电压耐受能力有较高要求的电路环境。 导通电阻为1000mΩ（RDON）， 在开关与功率调节过程中能保持较低的导通损耗。 栅源电压（VGS）最大支持20V， 有助于提升器件控制精度与稳定性。 该器件广泛应用于电源管理、电机驱动、LED照明以及各类中高电压电子系统中， 适用于需要高效能与可靠性的通用型功率电路设计。