2SK3666G-3-AE3-R
IC
SOT-23
可供量大可议
2SK3666G-3-AE3-R
UTC 2SK3666 是一个N沟道结型硅FET， 使用UTC的先进技术提供低IGss和低CRss。 适用于低频通用放大器、阻抗转换和红外传感器应用。
品牌
UTC
封装
SOT-23
库存
1,523
货期
现货
2SK3666G-3-AE3-R参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | UTC(友顺) |
| 批次 | 25+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 漏源电流(Idss) | 6mA |
| FET类型 | N沟道 |
| 分类 | 结型场效应管(JFET) |
|---|---|
| 库存 | 1,523 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 950mV |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270Ω |
| 输入电容(Ciss) | 4pF |
2SK3666G-3-AE3-R概述
UTC 2SK3666 是一个N沟道结型硅FET， 使用UTC的先进技术提供低IGss和低CRss。 适用于低频通用放大器、阻抗转换和红外传感器应用。
2SK3666G-3-AE3-R特性
暂无产品特性。
2SK3666G-3-AE3-R应用领域
暂无应用领域。