2SK3565(STA4, Q, M)
IC
SC-67
可供量大可议
2SK3565(STA4, Q, M)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.0Ω（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 4.5S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 100μA（VDS = 720V）。 增强模式：Vth = 2.0-4.0V（VDS = 10V， ID = 1mA）
品牌
TOSHIBA
封装
SC-67
库存
2,878
货期
现货
2SK3565(STA4, Q, M)参数
| 封装 | SC-67 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2878 |
2SK3565(STA4, Q, M)概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 2.0Ω（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 4.5S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 100μA（VDS = 720V）。 增强模式：Vth = 2.0-4.0V（VDS = 10V， ID = 1mA）
2SK3565(STA4, Q, M)特性
暂无产品特性。
2SK3565(STA4, Q, M)应用领域
暂无应用领域。