2SK3564(STA4, Q, M)
IC
TO-220SIS
可供量大可议
2SK3564(STA4, Q, M)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.7Ω（典型值）。 高正向传输导纳| γfs| = 2.6S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 720V)。 增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。 应用：开关稳压器应用
品牌
TOSHIBA
封装
TO-220SIS
库存
4,456
货期
现货
2SK3564(STA4, Q, M)参数
| 封装 | TO-220SIS |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4456 |
2SK3564(STA4, Q, M)概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 3.7Ω（典型值）。 高正向传输导纳| γfs| = 2.6S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 720V)。 增强模式：Vth = 2.0V-4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。 应用：开关稳压器应用
2SK3564(STA4, Q, M)特性
暂无产品特性。
2SK3564(STA4, Q, M)应用领域
暂无应用领域。