2SK3131-VB
IC
TO-3P
可供量大可议
2SK3131-VB
TO3P; N—Channel沟道, 600V; 47A; RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=2~4V
品牌
VBsemi
封装
TO-3P
库存
5
货期
现货
2SK3131-VB参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
2SK3131-VB概述
TO3P; N—Channel沟道, 600V; 47A; RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V, VGS=30V; Vth=2~4V
2SK3131-VB特性
暂无产品特性。
2SK3131-VB应用领域
暂无应用领域。
