2SK3018W(MS)
IC
SOT-323
可供量大可议
2SK3018W(MS)
此款N沟道场效应晶体管采用SOT-323封装， 具备漏源电压(Vdss)：30V， 连续漏极电流(Id)：300mA， RDS:10V@0.3A=1R, 适用于电池供电设备、便携式电子产品、逻辑电平转换、信号放大以及需要高效能和空间节省的电路设计中。
品牌
MSKSEMI
封装
SOT-323
库存
700
货期
现货
2SK3018W(MS)参数
| 封装 | SOT-323 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 50 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 700 |
2SK3018W(MS)概述
此款N沟道场效应晶体管采用SOT-323封装， 具备漏源电压(Vdss)：30V， 连续漏极电流(Id)：300mA， RDS:10V@0.3A=1R, 适用于电池供电设备、便携式电子产品、逻辑电平转换、信号放大以及需要高效能和空间节省的电路设计中。
2SK3018W(MS)特性
暂无产品特性。
2SK3018W(MS)应用领域
暂无应用领域。