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2SK3018T106-VB
IC

SC-70-3

可供量大可议

2SK3018T106-VB

台积电流片, 长电科技封装; SC70-3; N—Channel沟道; 60V; 0.3A; RDS(ON)=2000(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=1.7V; 采用Trench技术

品牌

VBsemi

封装

SC-70-3

库存

5

货期

现货

2SK3018T106-VB参数

封装SC-70-3
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存5

2SK3018T106-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; SC70-3; N—Channel沟道; 60V; 0.3A; RDS(ON)=2000(mΩ)@VGS=10V; VGS=±20V; Vth=1.7V; 采用Trench技术

2SK3018T106-VB特性

暂无产品特性。

2SK3018T106-VB应用领域

暂无应用领域。

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