2SK3018-TDD
IC
SOT-23
可供量大可议
2SK3018-TDD
MOS 配置 独立式； 沟道类型 N 沟道； 漏源击穿电压（Vds) 30V； 连续漏极电流（Id) 200mA； 栅极开启电压 (Vgs (th)) 1.0V~2.5V； 导通内阻 (Rds (on)) 3.5Ω@Vgs=10V； 耗散功率 (Pd) 300mW； 工作结温范围 -55℃~+150℃
品牌
TDD
封装
SOT-23
库存
2,620
货期
现货
2SK3018-TDD参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | TDD(台冠电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2620 |
2SK3018-TDD概述
MOS 配置 独立式； 沟道类型 N 沟道； 漏源击穿电压（Vds) 30V； 连续漏极电流（Id) 200mA； 栅极开启电压 (Vgs (th)) 1.0V~2.5V； 导通内阻 (Rds (on)) 3.5Ω@Vgs=10V； 耗散功率 (Pd) 300mW； 工作结温范围 -55℃~+150℃
2SK3018-TDD特性
暂无产品特性。
2SK3018-TDD应用领域
暂无应用领域。