2SK3018
IC
SOT-23
可供量大可议
2SK3018
绝缘栅场效应管（MOSFET） 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：8Ω@4V, 10mA
品牌
TWGMC
封装
SOT-23
库存
24,725
货期
现货
2SK3018参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | TWGMC(台湾迪嘉) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@2.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | 2SK3018 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 6.6e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24,725 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 输入电容(Ciss) | 13pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
| 商品名称 | N沟道增强型MOSFET, 电流:100mA, 耐压:30V |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
2SK3018概述
绝缘栅场效应管（MOSFET） 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs, Id)：8Ω@4V, 10mA
2SK3018特性
- 低导通电阻。
- 快速开关速度。
- 低电压驱动(2.5V)使该器件非常适合便携式设备。
- 驱动电路易于设计。
- 易于并联。
2SK3018应用领域
- 接口连接
- 开关(30V, 100mA)