2SK2615(TE12L. F)
IC
SOT-89
可供量大可议
2SK2615(TE12L. F)
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.23Ω（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 2.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 60V)。 增强模式：Vth = 0.8 至 2.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。 应用：DC-DC转换器。 继电器驱动
品牌
TOSHIBA
封装
SOT-89
库存
3,010
货期
现货
2SK2615(TE12L. F)参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3010 |
2SK2615(TE12L. F)概述
特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.23Ω（典型值）。 高正向传输导纳| Yfs| = 2.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 100μA（最大值）(VDS = 60V)。 增强模式：Vth = 0.8 至 2.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)。 应用：DC-DC转换器。 继电器驱动
2SK2615(TE12L. F)特性
暂无产品特性。
2SK2615(TE12L. F)应用领域
暂无应用领域。