2SK2225-80-E#T2
IC
TO-3P
可供量大可议
2SK2225-80-E#T2
特性：高击穿电压（V_DSS = 1500V）。 高速开关。 低驱动电流。 质量等级：标准
品牌
RENESAS/IDT
封装
TO-3P
库存
29
货期
现货
2SK2225-80-E#T2参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | RENESAS(瑞萨)/IDT |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 29 |
2SK2225-80-E#T2概述
特性：高击穿电压（V_DSS = 1500V）。 高速开关。 低驱动电流。 质量等级：标准
2SK2225-80-E#T2特性
暂无产品特性。
2SK2225-80-E#T2应用领域
暂无应用领域。