2SK2159-VB
IC
SOT-89
可供量大可议
2SK2159-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于各种功率电路应用。 SOT89-3； N—Channel沟道, 60V； 5.5A； RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~3V
品牌
VBsemi
封装
SOT-89
库存
70
货期
现货
2SK2159-VB参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 70 |
2SK2159-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单N沟道MOSFET， 采用Trench工艺制造， 适用于各种功率电路应用。 SOT89-3； N—Channel沟道, 60V； 5.5A； RDS(ON)=76mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=1.5~3V
2SK2159-VB特性
暂无产品特性。
2SK2159-VB应用领域
暂无应用领域。