2SK2009(TE85L, F)
IC
TO-236-3
可供量大可议
2SK2009(TE85L, F)
特性：高输入阻抗。 低栅极阈值电压：Vth = 0.5至1.5V。 出色的开关时间：ton = 0.06μs（典型值）， toff = 0.12μs（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）。 小封装。 增强模式。 应用：高速开关应用。 模拟开关应用
品牌
TOSHIBA
封装
TO-236-3
库存
2,275
货期
现货
2SK2009(TE85L, F)参数
| 封装 | TO-236-3 |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2275 |
2SK2009(TE85L, F)概述
特性：高输入阻抗。 低栅极阈值电压：Vth = 0.5至1.5V。 出色的开关时间：ton = 0.06μs（典型值）， toff = 0.12μs（典型值）。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 1.2Ω（典型值）。 小封装。 增强模式。 应用：高速开关应用。 模拟开关应用
2SK2009(TE85L, F)特性
暂无产品特性。
2SK2009(TE85L, F)应用领域
暂无应用领域。