2SK1835-E-HXY

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具有1500V漏源击穿电压（VDSS）和20V栅源电压（VGS）耐受能力， 适用于高电压工作环境。 在导通状态下， 最大漏极电流可达3.7A（ID）， 导通电阻为1000mΩ， 具备良好的电流承载与低损耗特性。 该器件常用于电源转换、开关控制、直流稳压及高电压调节等电路设计中， 满足对性能与稳定性有要求的电力电子应用需求。