2SK1835-E
IC
TO-3P
可供量大可议
2SK1835-E
特性：高击穿电压 (VDSS = 1500 V)。 高速开关。 低驱动电流。 无二次击穿。 适用于开关稳压器。 应用：高速功率开关
品牌
RENESAS/IDT
封装
TO-3P
库存
1
货期
现货
2SK1835-E参数
| 封装 | TO-3P |
|---|---|
| 品牌 | RENESAS(瑞萨)/IDT |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
2SK1835-E概述
特性：高击穿电压 (VDSS = 1500 V)。 高速开关。 低驱动电流。 无二次击穿。 适用于开关稳压器。 应用：高速功率开关
2SK1835-E特性
暂无产品特性。
2SK1835-E应用领域
暂无应用领域。