2SK1317-E-HXY

本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET）， 具备1500V的漏源耐压（VDSS）和20V的栅源电压（VGS）能力， 适合高电压应用场景。 在导通状态下， 其最大漏极电流可达3.7A（ID）， 导通电阻为1000mΩ， 能够有效支持高效能电力传输与切换操作。 该器件广泛应用于电源管理、开关电路、直流转换器及高电压控制等场景， 提供稳定可靠的性能表现。