2SJ649-VB
IC
TO-220F
可供量大可议
2SJ649-VB
TO220F； P—Channel沟道, -60V； -30A； RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~ -2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
27
货期
现货
2SJ649-VB参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 27 |
2SJ649-VB概述
TO220F； P—Channel沟道, -60V； -30A； RDS(ON)=50mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~ -2.5V
2SJ649-VB特性
暂无产品特性。
2SJ649-VB应用领域
暂无应用领域。