2SJ605-VB
IC
TO-220AB
可供量大可议
2SJ605-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO220； P—Channel沟道； -60V； -50A； RDS(ON)=19(mΩ)@VGS=10V, VGS=±20VVth=-1.7V； 采用Trench技术
Brand
VBsemi
Package
TO-220AB
Stock
3
货期
现货
2SJ605-VBParameters
| 封装 | TO-220AB |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
2SJ605-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO220； P—Channel沟道； -60V； -50A； RDS(ON)=19(mΩ)@VGS=10V, VGS=±20VVth=-1.7V； 采用Trench技术
2SJ605-VB特性
暂无产品特性。
2SJ605-VB应用领域
暂无应用领域。