2SJ601-VB
IC
TO-251
可供量大可议
2SJ601-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路P型MOSFET， 采用了Trench技术， 适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中， 为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。 TO251； N—Channel沟道-60V； -50A； RDS(ON)=13.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1.5~-2.5V
Brand
VBsemi
Package
TO-251
Stock
10
货期
现货
2SJ601-VBParameters
| 封装 | TO-251 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
2SJ601-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路P型MOSFET， 采用了Trench技术， 适用于需要P型MOSFET的高功率和高性能电子模块中， 为各种应用场景提供可靠的电力控制和管理解决方案。 TO251； N—Channel沟道-60V； -50A； RDS(ON)=13.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1.5~-2.5V
2SJ601-VB特性
暂无产品特性。
2SJ601-VB应用领域
暂无应用领域。