2SJ506STR-VB
IC
TO-252
可供量大可议
2SJ506STR-VB
TO252; P—Channel沟道, -30V; -38A; RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-2.5V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
库存
13
货期
现货
2SJ506STR-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 13 |
2SJ506STR-VB概述
TO252; P—Channel沟道, -30V; -38A; RDS(ON)=33mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-2.5V
2SJ506STR-VB特性
暂无产品特性。
2SJ506STR-VB应用领域
暂无应用领域。
