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2SJ412-VB
IC

TO-220F

可供量大可议

2SJ412-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P通道功率MOSFET, 采用Trench技术, 适用于多种领域和模块。 TO220F; P—Channel沟道, -100V; -12A; RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-2.5V

品牌

VBsemi

封装

TO-220F

库存

4

货期

现货

2SJ412-VB参数

封装TO-220F
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存4

2SJ412-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款单P通道功率MOSFET, 采用Trench技术, 适用于多种领域和模块。 TO220F; P—Channel沟道, -100V; -12A; RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1~-2.5V

2SJ412-VB特性

暂无产品特性。

2SJ412-VB应用领域

暂无应用领域。

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