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2SJ387L-VB
IC

TO-251

可供量大可议

2SJ387L-VB

TO251; P—Channel沟道, -30V; -20A; RDS(ON)=56mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1.4~-2.5V

品牌

VBsemi

封装

TO-251

库存

5

货期

现货

2SJ387L-VB参数

封装TO-251
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存5

2SJ387L-VB概述

TO251; P—Channel沟道, -30V; -20A; RDS(ON)=56mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=-1.4~-2.5V

2SJ387L-VB特性

暂无产品特性。

2SJ387L-VB应用领域

暂无应用领域。

商务邮箱 / Email

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