2SJ380-VB
IC
TO-220F
可供量大可议
2SJ380-VB
台积电流片， 长电科技封装； TO220F； P—Channel沟道； -100V； -12A； RDS(ON)=200(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=-2V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
TO-220F
库存
24
货期
现货
2SJ380-VB参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 24 |
2SJ380-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； TO220F； P—Channel沟道； -100V； -12A； RDS(ON)=200(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=-2V； 采用Trench技术
2SJ380-VB特性
暂无产品特性。
2SJ380-VB应用领域
暂无应用领域。