2SJ182S-VB
自营可供
IC
TO-252
2SJ182S-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管， 采用Trench工艺， 其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。 TO252； P—Channel沟道, -60V； -30A； RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
品牌
VBsemi
封装
TO-252
交期
现货
批次
—
2SJ182S-VB参数
| 封装 | TO-252 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 34W |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF |
| 类型 | P沟道 |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:60V 电流:30A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 45 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 61mΩ@10V； 72mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 1nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 120pF |
| 商品型号 | 2SJ182S-VB |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000371 |
2SJ182S-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管， 采用Trench工艺， 其高性能和可靠性使其在各种工业和消费电子应用中都能发挥重要作用。 TO252； P—Channel沟道, -60V； -30A； RDS(ON)=61mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
2SJ182S-VB特性
- 沟槽功率MOSFET
- 经过100%单脉冲雪崩耐量测试
2SJ182S-VB应用领域
- 负载开关