2SD669
IC
TO-126
可供量大可议
2SD669
该NPN型三极管具备1.5A的集电极电流(IC)和120V的集电极-发射极电压(VCEO), 适合中等功率放大与开关电路应用。 其直流电流增益(HFE)范围为60至250, 具有较宽的电流放大能力, 适应不同电路设计需求。 器件可用于电源控制、信号转换及放大级联电路, 适用于消费类电子产品、家用设备、通信模块及嵌入式控制系统中的驱动与开关功能, 具备良好的可靠性和稳定性, 满足多种通用模拟与数字电路的工作要求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-126
库存
290
货期
现货
2SD669参数
| 封装 | TO-126 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 290 |
2SD669概述
该NPN型三极管具备1.5A的集电极电流(IC)和120V的集电极-发射极电压(VCEO), 适合中等功率放大与开关电路应用。 其直流电流增益(HFE)范围为60至250, 具有较宽的电流放大能力, 适应不同电路设计需求。 器件可用于电源控制、信号转换及放大级联电路, 适用于消费类电子产品、家用设备、通信模块及嵌入式控制系统中的驱动与开关功能, 具备良好的可靠性和稳定性, 满足多种通用模拟与数字电路的工作要求。
2SD669特性
暂无产品特性。
2SD669应用领域
暂无应用领域。
