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2SD669
IC

TO-126

可供量大可议

2SD669

该NPN型三极管具备1.5A的集电极电流(IC)和120V的集电极-发射极电压(VCEO), 适合中等功率放大与开关电路应用。 其直流电流增益(HFE)范围为60至250, 具有较宽的电流放大能力, 适应不同电路设计需求。 器件可用于电源控制、信号转换及放大级联电路, 适用于消费类电子产品、家用设备、通信模块及嵌入式控制系统中的驱动与开关功能, 具备良好的可靠性和稳定性, 满足多种通用模拟与数字电路的工作要求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-126

库存

290

货期

现货

2SD669参数

封装TO-126
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类三极管(BJT)
库存290

2SD669概述

该NPN型三极管具备1.5A的集电极电流(IC)和120V的集电极-发射极电压(VCEO), 适合中等功率放大与开关电路应用。 其直流电流增益(HFE)范围为60至250, 具有较宽的电流放大能力, 适应不同电路设计需求。 器件可用于电源控制、信号转换及放大级联电路, 适用于消费类电子产品、家用设备、通信模块及嵌入式控制系统中的驱动与开关功能, 具备良好的可靠性和稳定性, 满足多种通用模拟与数字电路的工作要求。

2SD669特性

暂无产品特性。

2SD669应用领域

暂无应用领域。

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