2SD2719(TE85L, F)
IC
TSM
可供量大可议
2SD2719(TE85L, F)
三极管(BJT) 2SD2719(TE85L, F) TSM
品牌
TOSHIBA
封装
TSM
库存
6,000
货期
现货
2SD2719(TE85L, F)参数
| 封装 | TSM |
|---|---|
| 品牌 | TOSHIBA(东芝) |
| 批次 | 25+ |
| 类型 | NPN |
| 集电极电流(Ic) | 800mA |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA |
| 直流电流增益(hFE) | 2000 |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 2V |
| 分类 | 达林顿管 |
|---|---|
| 库存 | 6,000 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.2V； 1.5V |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 8V |
2SD2719(TE85L, F)概述
三极管(BJT) 2SD2719(TE85L, F) TSM
2SD2719(TE85L, F)特性
暂无产品特性。
2SD2719(TE85L, F)应用领域
暂无应用领域。