2SD2537T100V
IC
SOT-89
可供量大可议
2SD2537T100V
特性：低饱和电压， 在 IC / IB = 500mA / 10mA 时， 最大 VCE(sat) = 300mV。 高发射极-基极电压 (VEBO = 12V)。 PD = 2W（安装在陶瓷板 (40×40×0.7mm) 上）。 应用：低频放大器
品牌
ROHM
封装
SOT-89
库存
560
货期
现货
2SD2537T100V参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 560 |
2SD2537T100V概述
特性：低饱和电压， 在 IC / IB = 500mA / 10mA 时， 最大 VCE(sat) = 300mV。 高发射极-基极电压 (VEBO = 12V)。 PD = 2W（安装在陶瓷板 (40×40×0.7mm) 上）。 应用：低频放大器
2SD2537T100V特性
暂无产品特性。
2SD2537T100V应用领域
暂无应用领域。