2SD2391T100Q
IC
SOT-89
可供量大可议
2SD2391T100Q
特性：低饱和电压， 典型值：在 Ic/Ib = 1A/50mA 时， VCE(sat) = 130mV。 集电极-发射极电压 = 60V。 功耗：PD = 2W（安装在陶瓷板 (40×40×0.7mm) 上）。 互补 PNP 类型：2SB1561。 应用：低频放大器
品牌
ROHM
封装
SOT-89
库存
850
货期
现货
2SD2391T100Q参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 850 |
2SD2391T100Q概述
特性：低饱和电压， 典型值：在 Ic/Ib = 1A/50mA 时， VCE(sat) = 130mV。 集电极-发射极电压 = 60V。 功耗：PD = 2W（安装在陶瓷板 (40×40×0.7mm) 上）。 互补 PNP 类型：2SB1561。 应用：低频放大器
2SD2391T100Q特性
暂无产品特性。
2SD2391T100Q应用领域
暂无应用领域。