2SD2114KT146V
IC
TO-236-3(SOT-23-3)
可供量大可议
2SD2114KT146V
特性：高直流电流增益：hFE = 1200（典型值）。 高发射极-基极电压：VEBO = 12V（最小值）。 低VCE（饱和）：VCE（饱和） = 0.18V（典型值）(Ic / Ib = 500mA / 20mA)。 结构：外延平面型NPN硅晶体管
品牌
ROHM
封装
TO-236-3(SOT-23-3)
库存
1,060
货期
现货
2SD2114KT146V参数
| 封装 | TO-236-3(SOT-23-3) |
|---|---|
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 1060 |
2SD2114KT146V概述
特性：高直流电流增益：hFE = 1200（典型值）。 高发射极-基极电压：VEBO = 12V（最小值）。 低VCE（饱和）：VCE（饱和） = 0.18V（典型值）(Ic / Ib = 500mA / 20mA)。 结构：外延平面型NPN硅晶体管
2SD2114KT146V特性
暂无产品特性。
2SD2114KT146V应用领域
暂无应用领域。