2SD1899-Z
IC
TO-251-3L
可供量大可议
2SD1899-Z
特性：高hFE。 低VCE(sat)
品牌
CJ
封装
TO-251-3L
库存
75
货期
现货
2SD1899-Z参数
| 封装 | TO-251-3L |
|---|---|
| 品牌 | CJ(江苏长电/长晶) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 集电极电流(Ic) | 3A |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 特征频率(fT) | 120MHz |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
| 商品名称 | NPN 电压:60V |
| 包装方式 | 管装 |
| 商品类型 | 三极管(BJT) |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 75 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10uA |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 数量 | 1个NPN |
| 商品型号 | 2SD1899-Z |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000612 |
2SD1899-Z概述
特性：高hFE。 低VCE(sat)
2SD1899-Z特性
暂无产品特性。
2SD1899-Z应用领域
暂无应用领域。