2SD1664 DAR
IC
SOT-89
可供量大可议
2SD1664 DAR
特性：低饱和电压：VCE(m) = 0.15V（典型值）（Ic / Ib = 500mA / 50mA）， PC = 0.5W。 与2SB1132互补。 应用：NPN硅晶体管
品牌
GME
封装
SOT-89
库存
940
货期
现货
2SD1664 DAR参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | GME(银河微电) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 940 |
2SD1664 DAR概述
特性：低饱和电压：VCE(m) = 0.15V（典型值）（Ic / Ib = 500mA / 50mA）， PC = 0.5W。 与2SB1132互补。 应用：NPN硅晶体管
2SD1664 DAR特性
暂无产品特性。
2SD1664 DAR应用领域
暂无应用领域。