2SD1164 DAR
IC
SOT-89
可供量大可议
2SD1164 DAR
三极管 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：32V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic, Vce)：180@100mA, 3V 180~390 NPN, Vceo=32V, Ic=1A, hfe=180~390, 丝印DAR
品牌
MSKSEMI
封装
SOT-89
库存
900
货期
现货
2SD1164 DAR参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 900 |
2SD1164 DAR概述
三极管 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：32V 集电极电流(Ic)：1A 功率(Pd)：500mW 直流电流增益(hFE@Ic, Vce)：180@100mA, 3V 180~390 NPN, Vceo=32V, Ic=1A, hfe=180~390, 丝印DAR
2SD1164 DAR特性
暂无产品特性。
2SD1164 DAR应用领域
暂无应用领域。