2SC6096-TD-E
IC
SOT-89
可供量大可议
2SC6096-TD-E
特性：采用FBET、MBIT工艺。 低集电极-发射极饱和电压。 高允许功耗。 大电流容量。 高速开关。 符合无卤要求。 应用：DC/DC转换器。 继电器驱动器
品牌
onsemi
封装
SOT-89
库存
51
货期
现货
2SC6096-TD-E参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 51 |
2SC6096-TD-E概述
特性：采用FBET、MBIT工艺。 低集电极-发射极饱和电压。 高允许功耗。 大电流容量。 高速开关。 符合无卤要求。 应用：DC/DC转换器。 继电器驱动器
2SC6096-TD-E特性
暂无产品特性。
2SC6096-TD-E应用领域
暂无应用领域。