2SC5658-R-MS
IC
SOT-723
可供量大可议
2SC5658-R-MS
晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：265mW 直流电流增益(hFE@Ic, Vce)：HFE:120-270后面-MS代表品牌
品牌
MSKSEMI
封装
SOT-723
库存
6,840
货期
现货
2SC5658-R-MS参数
| 封装 | SOT-723 |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 6840 |
2SC5658-R-MS概述
晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：50V 集电极电流(Ic)：100mA 功率(Pd)：265mW 直流电流增益(hFE@Ic, Vce)：HFE:120-270后面-MS代表品牌
2SC5658-R-MS特性
暂无产品特性。
2SC5658-R-MS应用领域
暂无应用领域。