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2SC3326-A, LF
IC

TO-236

可供量大可议

2SC3326-A, LF

特性:AEC-Q101合格。 高发射极-基极电压:VEBO = 25 V。 高反向hFE。 反向hFE = 150(典型值)(VCE = -2V, IC = -4mA)。 低导通电阻:RON = 1 Ω(典型值)(IB = 5mA)。 高直流电流增益:hFE = 200至1200。 应用:静音和开关应用

品牌

TOSHIBA

封装

TO-236

库存

480

货期

现货

2SC3326-A, LF参数

封装TO-236
品牌TOSHIBA(东芝)
MOQ / SPQ1 / 5
分类三极管(BJT)
库存480

2SC3326-A, LF概述

特性:AEC-Q101合格。 高发射极-基极电压:VEBO = 25 V。 高反向hFE。 反向hFE = 150(典型值)(VCE = -2V, IC = -4mA)。 低导通电阻:RON = 1 Ω(典型值)(IB = 5mA)。 高直流电流增益:hFE = 200至1200。 应用:静音和开关应用

2SC3326-A, LF特性

暂无产品特性。

2SC3326-A, LF应用领域

暂无应用领域。

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