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2SB772
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IC

TO-252-2

2SB772

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品牌

MSKSEMI

封装

TO-252-2

交期

现货

批次

两年内

产品参数概述

2SB772参数

封装TO-252-2
品牌MSKSEMI(美森科)
批次两年内
晶体管类型PNP
集射极击穿电压(Vceo)30V
直流电流增益(hFE)320
集电极截止电流(Icbo)1uA
工作温度-55℃~+150℃
数量1个PNP
分类三极管(BJT)
库存3,810
MOQ / SPQ1 / 1
集电极电流(Ic)3A
耗散功率(Pd)1.25W
特征频率(fT)80MHz
集射极饱和电压(VCE(sat))500mV
射基极击穿电压(Vebo)6V

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