2SB649
IC
TO-126
可供量大可议
2SB649
该PNP型三极管具有1.5A的集电极电流(IC)和150V的集电极-发射极电压(VCEO), 适用于中等功率的放大与开关电路。 其直流电流增益(HFE)范围为60至250, 具备较宽的增益覆盖, 适应不同信号控制需求。 器件可在高电压条件下稳定工作, 适合用于电源管理模块、信号转换电路及驱动级设计。 广泛应用于消费类电子产品、通信设备、家用电器及嵌入式系统中的开关与放大功能, 满足多种通用电路对性能与可靠性的要求。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-126
库存
135
货期
现货
2SB649参数
| 封装 | TO-126 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 135 |
2SB649概述
该PNP型三极管具有1.5A的集电极电流(IC)和150V的集电极-发射极电压(VCEO), 适用于中等功率的放大与开关电路。 其直流电流增益(HFE)范围为60至250, 具备较宽的增益覆盖, 适应不同信号控制需求。 器件可在高电压条件下稳定工作, 适合用于电源管理模块、信号转换电路及驱动级设计。 广泛应用于消费类电子产品、通信设备、家用电器及嵌入式系统中的开关与放大功能, 满足多种通用电路对性能与可靠性的要求。
2SB649特性
暂无产品特性。
2SB649应用领域
暂无应用领域。
