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2SB649
IC

TO-126

可供量大可议

2SB649

该PNP型三极管具有1.5A的集电极电流(IC)和150V的集电极-发射极电压(VCEO), 适用于中等功率的放大与开关电路。 其直流电流增益(HFE)范围为60至250, 具备较宽的增益覆盖, 适应不同信号控制需求。 器件可在高电压条件下稳定工作, 适合用于电源管理模块、信号转换电路及驱动级设计。 广泛应用于消费类电子产品、通信设备、家用电器及嵌入式系统中的开关与放大功能, 满足多种通用电路对性能与可靠性的要求。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-126

库存

135

货期

现货

2SB649参数

封装TO-126
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类三极管(BJT)
库存135

2SB649概述

该PNP型三极管具有1.5A的集电极电流(IC)和150V的集电极-发射极电压(VCEO), 适用于中等功率的放大与开关电路。 其直流电流增益(HFE)范围为60至250, 具备较宽的增益覆盖, 适应不同信号控制需求。 器件可在高电压条件下稳定工作, 适合用于电源管理模块、信号转换电路及驱动级设计。 广泛应用于消费类电子产品、通信设备、家用电器及嵌入式系统中的开关与放大功能, 满足多种通用电路对性能与可靠性的要求。

2SB649特性

暂无产品特性。

2SB649应用领域

暂无应用领域。

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