2SB1561T100Q
IC
SOT-89
可供量大可议
2SB1561T100Q
特性：低饱和电压：在集电极电流 IC 与基极电流 IB 之比为 -1A / -50mA 时， 典型值 VCE(sat) = -150mV。 集电极-发射极电压：-60V。 功率耗散：在安装于陶瓷板（40×40×0.7mm）时， PD = 2W。 互补 NPN 类型：2SD2391。 应用：低频放大器
品牌
ROHM
封装
SOT-89
库存
405
货期
现货
2SB1561T100Q参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 405 |
2SB1561T100Q概述
特性：低饱和电压：在集电极电流 IC 与基极电流 IB 之比为 -1A / -50mA 时， 典型值 VCE(sat) = -150mV。 集电极-发射极电压：-60V。 功率耗散：在安装于陶瓷板（40×40×0.7mm）时， PD = 2W。 互补 NPN 类型：2SD2391。 应用：低频放大器
2SB1561T100Q特性
暂无产品特性。
2SB1561T100Q应用领域
暂无应用领域。