2SB1124T
IC
SOT-89
可供量大可议
2SB1124T
特性：采用FBET、MBIT工艺。 低集电极-发射极饱和电压。 快速开关速度。 大电流容量和宽安全工作区（ASO）
品牌
SHIKUES
封装
SOT-89
库存
710
货期
现货
2SB1124T参数
| 封装 | SOT-89 |
|---|---|
| 品牌 | SHIKUES(时科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 集电极电流(Ic) | 3A |
| 耗散功率(Pd) | 500mW |
| 特征频率(fT) | 150MHz |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 700mV |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
| 商品名称 | PNP 电流:3A 电压:50V |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 三极管(BJT) |
| 分类 | 三极管(BJT) |
|---|---|
| 库存 | 710 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 直流电流增益(hFE) | 400 |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1uA |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 数量 | 1个PNP |
| 商品型号 | 2SB1124T |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00013 |
2SB1124T概述
特性：采用FBET、MBIT工艺。 低集电极-发射极饱和电压。 快速开关速度。 大电流容量和宽安全工作区（ASO）
2SB1124T特性
- 采用FBET、MBIT工艺。
- 集电极
- 发射极饱和电压低。
- 开关速度快。
- 电流容量大， 安全工作区（ASO）宽。
2SB1124T应用领域
暂无应用领域。